Anzahl der Einträge: 5.
2007
2005
Gmeinwieser, N.,
Gottfriedsen, P.,
Schwarz, Uli,
Wegscheider, Werner,
Clos, R.,
Krtschil, A.,
Krost, A.,
Weimar, A.,
Brüderl, G.,
Lell, A. und
Härle, V.
(2005)
Single dislocation induced strain in GaN.
Journal of Appli
ed Physics 98, S. 116102.
Volltext nicht vorhanden.
2004
Gmeinwieser, N.,
Engl, K.,
Gottfriedsen, P.,
Schwarz, Uli,
Zweck, Josef,
Wegscheider, Werner,
Miller, S.,
Lugauer, H.,
Leber, A.,
Lell, A. und
Härle, V.
(2004)
Correlation of strain, wing tilt, dislocation density, and photoluminescence in epitaxial lateral overgrown GaN on SiC substrate.
Journal of Appli
ed Physics 96, J. Appl. Phys..
Volltext nicht vorhanden.
Gmeinwieser, N.,
Engl, K.,
Schwarz, Uli,
Zweck, Josef,
Wegscheider, Werner,
Miller, S.,
Leber, A.,
Lell, A. und
Härle, V.
(2004)
Strain, wing tilt and Photoluminescence in ELOG GaN on SiC substrates.
phys. stat. sol. (a) 201, S. 2760.
Volltext nicht vorhanden.
2002
Kümmler, V.,
Brüderl, G.,
Bader, S.,
Miller, S.,
Weimar, A.,
Lell, A.,
Härle, V.,
Schwarz, Uli,
Gmeinwieser, N. und
Wegscheider, Werner
(2002)
Degradation Analysis of InGaN Laser Diodes.
phys. stat. sol. (a) 194, S. 419.
Volltext nicht vorhanden.
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