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Publikationen von Nitta, J.

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Anzahl der Einträge: 5.

2020

Arakawa, T., Shiogai, J. , Maeda, M., Ciorga, M., Utz, M., Schuh, D., Niimi, Y. , Kohda, M. , Nitta, J., Bougeard, D., Weiss, D. und Kobayashi, K. (2020) Tunneling mechanism in a (Ga,Mn)As/GaAs-based spin Esaki diode investigated by bias-dependent shot noise measurements. Physical Review B 102 (4). Volltext nicht vorhanden.

2018

Shiogai, J. , Ciorga, M., Utz, M., Schuh, D., Kohda, M., Bougeard, D., Nojima, T., Weiss, D. und Nitta, J. (2018) Spatial variation of dynamic nuclear spin polarization probed by the non-local Hanle effect. Applied Physics Letters 112 (13), S. 132403. Volltext nicht vorhanden.

2012

Kohda, M., Lechner, Vera, Kunihashi, Y., Dollinger, Tobias, Olbrich, Peter, Schönhuber, Christoph, Caspers, Ines, Belkov, Vassilij, Golub, Leonid, Weiss, Dieter, Richter, Klaus, Nitta, J. und Ganichev, Sergey (2012) Gate-controlled persistent spin helix state in (In,Ga)As quantum wells. Physical Review B (PRB) 8 (86), 081306.

2011

Shiogai, Junichi, Schuh, Dieter, Wegscheider, Werner, Kohda, M., Nitta, J. und Weiss, Dieter (2011) Magnitude and sign control of lithography-induced uniaxial anisotropy in ultra-thin (Ga,Mn)As wires. Applied Physics Letters 98, S. 83101.

Shiogai, Junichi, Schuh, Dieter, Wegscheider, Werner, Kohda, M., Nitta, J. und Weiss, Dieter (2011) Erratum: “Magnitude and sign control of lithography-induced uniaxial anisotropy in ultrathin (Ga,Mn)As wires” [ Appl. Phys. Lett. 98, 083101 (2011) ]. Applied Physics Letters 98, S. 169901.

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