Einträge von Range, K.-J. auf dem Publikationsserver
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Anzahl der Einträge: 5.
2002
Hölzl, R., Fabry, L., Range, K.-J. und Pech, R.
(2002)
MeV-boron implanted layer, oxygen precipitates and poly-silicon back side combined in one silicon wafer: at what defect will Cu and Ni be gettered?
Applied Physics A: Materials Science & Processing 74 (4), S. 545-551.
Volltext nicht vorhanden.
Hoelzl, R., Range, K.-J. und Fabry, L.
(2002)
Modeling of Cu gettering in p- and n-type silicon and in poly-silicon.
Applied Physics A: Materials Science & Processing 75 (4), S. 525-534.
Volltext nicht vorhanden.
Hölzl, R., Fabry, L. und Range, K.-J.
(2002)
Ni reactions with surfaces: dependence of gettering efficiencies for Ni on crystal-growth conditions, back-side-gettering techniques, oxygen precipitates and thermal treatments.
Applied Physics A: Materials Science & Processing 74 (5), S. 711-718.
Volltext nicht vorhanden.
2001
Hölzl, R., Huber, A., Fabry, L., Range, K.-J. und Blietz, M.
(2001)
Integrity of ultrathin gate oxides with different oxide thickness, substrate wafers and metallic contaminations.
Applied Physics A Materials Science & Processing 72 (3), S. 351-356.
Volltext nicht vorhanden.
2000
Zhao, Xudong und Range, K.-J.
(2000)
High pressure synthesis of molybdenum nitride MoN.
Journal of Alloys and Compounds 296 (1-2), S. 72-74.
Volltext nicht vorhanden.