Einträge von Thalmair, Johannes auf dem Publikationsserver

Scholz, Ferdinand, Schwaiger, Stephan, Däubler, Jürgen, Tischer, Ingo , Thonke, Klaus, Neugebauer, Silvio, Metzner, Sebastian, Bertram, Frank , Christen, Jürgen, Lengner, Holger, Thalmair, Johannes und Zweck, Josef (2012) Semipolar GaInN quantum well structures on large area substrates. physica status solidi (b) 249 (3), S. 464-467. Volltext nicht vorhanden.

Ploch, Simon, Wernicke, Tim, Thalmair, Johannes, Lohr, Matthias, Pristovsek, Markus , Zweck, Josef, Weyers, Markus und Kneissl, Michael (2012) Topography of (202¯1) AlGaN, GaN and InGaN layers grown by metal-organic vapor phase epitaxy. Journal of Crystal Growth 356, S. 70-74. Volltext nicht vorhanden.

Schwaiger, Stephan, Metzner, Sebastian, Wunderer, Thomas, Argut, Ilona, Thalmair, Johannes, Lipski, Frank, Wieneke, Matthias, Bläsing, Jürgen, Bertram, Frank , Zweck, Josef, Krost, Alois, Christen, Jürgen und Scholz, Ferdinand (2011) Growth and coalescence behavior of semipolar GaN on pre‐structured r‐plane sapphire substrates. physica status solidi (b) 248 (3), S. 588-593. Volltext nicht vorhanden.

Jönen, H., Rossow, U., Bremers, H., Hoffmann, L., Brendel, M., Dräger, A. D., Schwaiger, S., Scholz, F., Thalmair, Johannes, Zweck, Josef und Hangleiter, A. (2011) Highly efficient light emission from stacking faults intersecting nonpolar GaInN quantum wells. Applied Physics Letters 99, 011901.

Jönen, Holger, Rossow, Uwe, Bremers, Heiko, Hoffmann, Lars, Brendel, Moritz, Dräger, Alexander Daniel, Metzner, Sebastian, Bertram, Frank , Christen, Jürgen, Schwaiger, Stephan, Scholz, Ferdinand, Thalmair, Johannes, Zweck, Josef und Hangleiter, Andreas (2011) Indium incorporation in GaInN/GaN quantum well structures on polar and nonpolar surfaces. physica status solidi (b) 248 (3), S. 600-604. Volltext nicht vorhanden.