Anzahl der Einträge: 7.
Liu, W.,
Rossbach, G.,
Avramescu, A.,
Schimpke, T.,
Lugauer, H.-J.,
Strassburg, M.,
Mounir, C.,
Schwarz, U. T.,
Deveaud, B. und
Jacopin, G.
(2019)
Impact of alloy disorder on Auger recombination in single InGaN/GaN core-shell microrods.
Physical Review B 100 (23).
Volltext nicht vorhanden.
Liu, W.,
Mounir, C.,
Rossbach, G.,
Schimpke, T.,
Avramescu, A.,
Lugauer, H.-J.,
Strassburg, M.,
Schwarz, U.,
Deveaud, B. und
Jacopin, G.
(2018)
Spatially dependent carrier dynamics in single InGaN/GaN core-shell microrod by time-resolved cathodoluminescence.
Applied Physics Letters 112 (5), 052106.
Volltext nicht vorhanden.
Dmukauskas, M.,
Kadys, A.,
Malinauskas, T.,
Grinys, T.,
Reklaitis, I.,
Badokas, K.,
Skapas, M.,
Tomašiūnas, R.,
Dobrovolskas, D.,
Stanionytė, S.,
Pietzonka, I.,
Strassburg, M. und
Lugauer, H.-J.
(2016)
Influence of metalorganic precursors flow interruption timing on green InGaN multiple quantum wells.
Journal of Physics D: Applied Physics 49 (50), S. 505101.
Volltext nicht vorhanden.
Nirschl, A.,
Binder, M.,
Schmid, M.,
Karow, M. M.,
Pietzonka, I.,
Lugauer, H.-J.,
Zeisel, R.,
Bougeard, Dominique und
Galler, B.
(2015)
Transport and capture properties of Auger-generated high-energy carriers in (AllnGa)N Quantum well structures.
Journal of Applied Physics 118, 033103.
Binder, M.,
Nirschl, A.,
Zeisel, R.,
Hager, T.,
Lugauer, H.-J.,
Sabathil, M.,
Bougeard, Dominique,
Wagner, J. und
Galler, B.
(2013)
Identification of nnp and npp Auger recombination as significant contributor to the efficiency droop in (GaIn)N quantum wells by visualization of hot carriers in photoluminescence.
Applied Physics Letters 103, 071108.
Engl, Karl,
Beer, Martin,
Gmeinwieser, Nikolaus,
Schwarz, Ulrich,
Zweck, Josef,
Wegscheider, Werner,
Miller, Stephan,
Miler, A.,
Lugauer, H.-J.,
Brüderl, G.,
Lell, Alfred und
Härle, Volker
(2006)
Influence of an in situ-deposited SiNx intermediate layer inside GaN and AlGaN layers on SiC substrates.
Journal of Crystal Growth 289 (1), S. 6-13.
Zugang zum Volltext eingeschränkt.
Gmeinwieser, Nikolaus,
Engl, Karl,
Gottfriedsen, P.,
Schwarz, Ulrich,
Zweck, Josef,
Wegscheider, Werner,
Miller, S.,
Lugauer, H.-J.,
Leber, A.,
Weimar, A.,
Lell, Alfred und
Härle, Volker
(2004)
Correlation of strain, wing tilt, dislocation density, and photoluminescence in epitaxial lateral overgrown GaN on SiC substrates.
Journal of Applied Physics 96 (7), S. 3666-3672.
Zugang zum Volltext eingeschränkt.
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