Einträge von Lugauer, H.-J. auf dem Publikationsserver

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Anzahl der Einträge: 7.

2019

Liu, W., Rossbach, G., Avramescu, A., Schimpke, T., Lugauer, H.-J., Strassburg, M., Mounir, C., Schwarz, U. T., Deveaud, B. und Jacopin, G. (2019) Impact of alloy disorder on Auger recombination in single InGaN/GaN core-shell microrods. Physical Review B 100 (23). Volltext nicht vorhanden.

2018

Liu, W., Mounir, C., Rossbach, G., Schimpke, T., Avramescu, A., Lugauer, H.-J., Strassburg, M., Schwarz, U., Deveaud, B. und Jacopin, G. (2018) Spatially dependent carrier dynamics in single InGaN/GaN core-shell microrod by time-resolved cathodoluminescence. Applied Physics Letters 112 (5), 052106. Volltext nicht vorhanden.

2016

Dmukauskas, M., Kadys, A., Malinauskas, T., Grinys, T., Reklaitis, I., Badokas, K., Skapas, M., Tomašiūnas, R., Dobrovolskas, D., Stanionytė, S., Pietzonka, I., Strassburg, M. und Lugauer, H.-J. (2016) Influence of metalorganic precursors flow interruption timing on green InGaN multiple quantum wells. Journal of Physics D: Applied Physics 49 (50), S. 505101. Volltext nicht vorhanden.

2015

Nirschl, A., Binder, M., Schmid, M., Karow, M. M., Pietzonka, I., Lugauer, H.-J., Zeisel, R., Bougeard, Dominique und Galler, B. (2015) Transport and capture properties of Auger-generated high-energy carriers in (AllnGa)N Quantum well structures. Journal of Applied Physics 118, 033103.

2013

Binder, M., Nirschl, A., Zeisel, R., Hager, T., Lugauer, H.-J., Sabathil, M., Bougeard, Dominique, Wagner, J. und Galler, B. (2013) Identification of nnp and npp Auger recombination as significant contributor to the efficiency droop in (GaIn)N quantum wells by visualization of hot carriers in photoluminescence. Applied Physics Letters 103, 071108.

2006

Engl, Karl, Beer, Martin, Gmeinwieser, Nikolaus, Schwarz, Ulrich, Zweck, Josef, Wegscheider, Werner, Miller, Stephan, Miler, A., Lugauer, H.-J., Brüderl, G., Lell, Alfred und Härle, Volker (2006) Influence of an in situ-deposited SiNx intermediate layer inside GaN and AlGaN layers on SiC substrates. Journal of Crystal Growth 289 (1), S. 6-13. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

2004

Gmeinwieser, Nikolaus, Engl, Karl, Gottfriedsen, P., Schwarz, Ulrich, Zweck, Josef, Wegscheider, Werner, Miller, S., Lugauer, H.-J., Leber, A., Weimar, A., Lell, Alfred und Härle, Volker (2004) Correlation of strain, wing tilt, dislocation density, and photoluminescence in epitaxial lateral overgrown GaN on SiC substrates. Journal of Applied Physics 96 (7), S. 3666-3672. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

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