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Publikationen von 0000-0002-9183-9666
(ORCID: 0000-0002-9183-9666)
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Artikel
Jönen, H, Bremers, H, Rossow, U, Langer, T, Kruse, A, Hoffmann, L, Thalmair, J, Zweck, J, Schwaiger, S, Scholz, F und Hangleiter, A 
(2012)
Analysis of indium incorporation in non- and semipolar GaInN QW structures: comparing x-ray diffraction and optical properties.
Semiconductor Science and Technology 27 (2), 024013.
Volltext nicht vorhanden.
(2012)
Analysis of indium incorporation in non- and semipolar GaInN QW structures: comparing x-ray diffraction and optical properties.
Semiconductor Science and Technology 27 (2), 024013.
Volltext nicht vorhanden.
Jönen, H., Rossow, U., Bremers, H., Hoffmann, L., Brendel, M., Dräger, A. D., Schwaiger, S., Scholz, F., Thalmair, Johannes, Zweck, Josef und Hangleiter, A.
(2011)
Highly efficient light emission from stacking faults intersecting nonpolar GaInN quantum wells.
Applied Physics Letters 99, 011901.
Jönen, Holger, Rossow, Uwe, Bremers, Heiko, Hoffmann, Lars, Brendel, Moritz, Dräger, Alexander Daniel, Metzner, Sebastian, Bertram, Frank , Christen, Jürgen, Schwaiger, Stephan, Scholz, Ferdinand, Thalmair, Johannes, Zweck, Josef und Hangleiter, Andreas
(2011)
Indium incorporation in GaInN/GaN quantum well structures on polar and nonpolar surfaces.
physica status solidi (b) 248 (3), S. 600-604.
Volltext nicht vorhanden.
, Christen, Jürgen, Schwaiger, Stephan, Scholz, Ferdinand, Thalmair, Johannes, Zweck, Josef und Hangleiter, Andreas
(2011)
Indium incorporation in GaInN/GaN quantum well structures on polar and nonpolar surfaces.
physica status solidi (b) 248 (3), S. 600-604.
Volltext nicht vorhanden.
Wunderer, T., Feneberg, M. , Lipski, F., Wang, J., Leute, R. A. R., Schwaiger, S., Thonke, K., Chuvilin, A. , Kaiser, U., Metzner, S., Bertram, F. , Christen, J., Beirne, G. J., Jetter, M. , Michler, P., Schade, L., Vierheilig, C., Schwarz, U. T., Dräger, A. D., Hangleiter, A. und Scholz, F.
(2011)
Three‐dimensional GaN for semipolar light emitters.
physica status solidi (b) 248 (3), S. 549-560.
Volltext nicht vorhanden.
, Lipski, F., Wang, J., Leute, R. A. R., Schwaiger, S., Thonke, K., Chuvilin, A. , Kaiser, U., Metzner, S., Bertram, F. , Christen, J., Beirne, G. J., Jetter, M. , Michler, P., Schade, L., Vierheilig, C., Schwarz, U. T., Dräger, A. D., Hangleiter, A. und Scholz, F.
(2011)
Three‐dimensional GaN for semipolar light emitters.
physica status solidi (b) 248 (3), S. 549-560.
Volltext nicht vorhanden.
Bremers, H., Schwiegel, A., Hoffmann, L., Jönen, H., Rossow, U., Thalmair, J., Zweck, J. und Hangleiter, A.
(2011)
X‐ray composition analysis of nonpolar GaInN/GaN multiple quantum well structures.
physica status solidi (b) 248 (3), S. 616-621.
Volltext nicht vorhanden.
(2011)
X‐ray composition analysis of nonpolar GaInN/GaN multiple quantum well structures.
physica status solidi (b) 248 (3), S. 616-621.
Volltext nicht vorhanden.
Scheibenzuber, W. G., Schwarz, U. T. , Veprek, R. G., Witzigmann, B. und Hangleiter, A.
(2009)
Calculation of optical eigenmodes and gain in semipolar and nonpolar InGaN/GaN laser diodes.
Physical Review B 80 (11).
Volltext nicht vorhanden.
, Veprek, R. G., Witzigmann, B. und Hangleiter, A.
(2009)
Calculation of optical eigenmodes and gain in semipolar and nonpolar InGaN/GaN laser diodes.
Physical Review B 80 (11).
Volltext nicht vorhanden.
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