Anzahl der Einträge: 5.
Gmeinwieser, Nikolaus,
Gottfriedsen, P.,
Schwarz, Ulrich,
Wegscheider, Werner,
Clos, R.,
Krtschil, A.,
Krost, A.,
Engl, Karl,
Weimar, A.,
Brüderl, G.,
Lell, Alfred und
Härle, Volker
(2006)
Long range strain and electrical potential induced by single edge dislocations in GaN.
Physica B Condensed Matter 376-37, S. 451-454.
Zugang zum Volltext eingeschränkt.
Gmeinwieser, N.,
Gottfriedsen, P.,
Schwarz, Uli,
Wegscheider, Werner,
Clos, R.,
Krtschil, A.,
Krost, A.,
Weimar, A.,
Brüderl, G.,
Lell, A. und
Härle, V.
(2005)
Single dislocation induced strain in GaN.
Journal of Appli
ed Physics 98, S. 116102.
Volltext nicht vorhanden.
Gmeinwieser, Nikolaus,
Engl, Karl,
Gottfriedsen, P.,
Schwarz, Ulrich,
Zweck, Josef,
Wegscheider, Werner,
Miller, S.,
Lugauer, H.-J.,
Leber, A.,
Weimar, A.,
Lell, Alfred und
Härle, Volker
(2004)
Correlation of strain, wing tilt, dislocation density, and photoluminescence in epitaxial lateral overgrown GaN on SiC substrates.
Journal of Applied Physics 96 (7), S. 3666-3672.
Zugang zum Volltext eingeschränkt.
Kümmler, V.,
Brüderl, G.,
Bader, S.,
Miller, S.,
Weimar, A.,
Lell, A.,
Härle, V.,
Schwarz, Ulrich,
Gmeinwieser, Nikolaus und
Wegscheider, Werner
(2002)
Degradation Analysis of InGaN Laser Diodes.
physica status solidi a 194 (2), S. 419-422.
Zugang zum Volltext eingeschränkt.
Kümmler, V.,
Brüderl, G.,
Bader, S.,
Miller, S.,
Weimar, A.,
Lell, A.,
Härle, V.,
Schwarz, Uli,
Gmeinwieser, N. und
Wegscheider, Werner
(2002)
Degradation Analysis of InGaN Laser Diodes.
phys. stat. sol. (a) 194, S. 419.
Volltext nicht vorhanden.
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