Anzahl der Einträge: 5.
2006
Gmeinwieser, Nikolaus,
Gottfriedsen, P.,
Schwarz, Ulrich,
Wegscheider, Werner,
Clos, R.,
Krtschil, A.,
Krost, A.,
Engl, Karl,
Weimar, A.,
Brüderl, G.,
Lell, Alfred und
Härle, Volker
(2006)
Long range strain and electrical potential induced by single edge dislocations in GaN.
Physica B Condensed Matter 376-37, S. 451-454.
Zugang zum Volltext eingeschränkt.
2005
Gmeinwieser, N.,
Gottfriedsen, P.,
Schwarz, Uli,
Wegscheider, Werner,
Clos, R.,
Krtschil, A.,
Krost, A.,
Weimar, A.,
Brüderl, G.,
Lell, A. und
Härle, V.
(2005)
Single dislocation induced strain in GaN.
Journal of Appli
ed Physics 98, S. 116102.
Volltext nicht vorhanden.
2004
Gmeinwieser, Nikolaus,
Engl, Karl,
Gottfriedsen, P.,
Schwarz, Ulrich,
Zweck, Josef,
Wegscheider, Werner,
Miller, S.,
Lugauer, H.-J.,
Leber, A.,
Weimar, A.,
Lell, Alfred und
Härle, Volker
(2004)
Correlation of strain, wing tilt, dislocation density, and photoluminescence in epitaxial lateral overgrown GaN on SiC substrates.
Journal of Applied Physics 96 (7), S. 3666-3672.
Zugang zum Volltext eingeschränkt.
2002
Kümmler, V.,
Brüderl, G.,
Bader, S.,
Miller, S.,
Weimar, A.,
Lell, A.,
Härle, V.,
Schwarz, Ulrich,
Gmeinwieser, Nikolaus und
Wegscheider, Werner
(2002)
Degradation Analysis of InGaN Laser Diodes.
physica status solidi a 194 (2), S. 419-422.
Zugang zum Volltext eingeschränkt.
Kümmler, V.,
Brüderl, G.,
Bader, S.,
Miller, S.,
Weimar, A.,
Lell, A.,
Härle, V.,
Schwarz, Uli,
Gmeinwieser, N. und
Wegscheider, Werner
(2002)
Degradation Analysis of InGaN Laser Diodes.
phys. stat. sol. (a) 194, S. 419.
Volltext nicht vorhanden.
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