Einträge von Engl, Karl auf dem Publikationsserver

Gruppieren nach: Datum | Dokumentenart | Keine Gruppierung

Gehe zu: 2006 | 2005 | 2004

Anzahl der Einträge: 7.

2006

Gmeinwieser, Nikolaus, Gottfriedsen, P., Schwarz, Ulrich, Wegscheider, Werner, Clos, R., Krtschil, A., Krost, A., Engl, Karl, Weimar, A., Brüderl, G., Lell, Alfred und Härle, Volker (2006) Long range strain and electrical potential induced by single edge dislocations in GaN. Physica B Condensed Matter 376-37, S. 451-454. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

Engl, Karl, Beer, Martin, Gmeinwieser, Nikolaus, Schwarz, Ulrich

, Zweck, Josef, Wegscheider, Werner, Miller, Stephan, Miler, A., Lugauer, H.-J., Brüderl, G., Lell, Alfred und Härle, Volker (2006) Influence of an in situ-deposited SiNx intermediate layer inside GaN and AlGaN layers on SiC substrates. Journal of Crystal Growth 289 (1), S. 6-13. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

Engl, Karl, Beer, Martin, Gmeinwieser, Nikolaus, Schwarz, Ulrich

, Zweck, Josef, Wegscheider, Werner, Miller, S., Miler, A., Lugauer, H., Brüderl, G., Lell, A. und Härle, V. (2006) Influence of an in situ-deposited SiN_x intermediate layer inside GaN and AlGaN layers on SiC substrates. Journal of Crystal Growth 289 (1), S. 6-13. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

Witzigmann, B., Laino, V., Luisier, M., Schwarz, Ulrich

, Feicht, Georg, Wegscheider, Werner, Engl, Karl, Furitsch, Michael, Leber, Andreas, Lell, Alfred und Härle, Volker (2006) Microscopic analysis of optical gain in InGaN/GaN quantum wells. Applied Physics Letters 88 (2), 021104. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

2005

Able, Andreas, Wegscheider, Werner, Engl, Karl und Zweck, Josef (2005) Growth of crack-free GaN on Si(1 1 1) with graded AlGaN buffer layers. Journal of Crystal Growth 276 (3-4), S. 415-418. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

2004

Gmeinwieser, Nikolaus, Engl, Karl, Gottfriedsen, P., Schwarz, Ulrich

, Zweck, Josef, Wegscheider, Werner, Miller, S., Lugauer, H.-J., Leber, A., Weimar, A., Lell, Alfred und Härle, Volker (2004) Correlation of strain, wing tilt, dislocation density, and photoluminescence in epitaxial lateral overgrown GaN on SiC substrates. Journal of Applied Physics 96 (7), S. 3666-3672. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

Gmeinwieser, Nikolaus, Engl, Karl, Schwarz, Ulrich, Zweck, Josef, Wegscheider, Werner, Miller, Stephan, Leber, Andreas, Weimar, Andreas, Lell, Alfred und Härle, Volker (2004) Strain, wing tilt and photoluminescence in epitaxial lateral overgrown GaN on SiC substrates. physica status solidi a 201 (12), S. 2760-2763. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

Diese Liste wurde erzeugt am Mon Dec 8 05:03:33 2025 CET.

Exportieren als	Atom RSS 1.0 RSS 2.0

2006

2005

2004

Universitätsbibliothek