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Gmeinwieser, Nikolaus, Gottfriedsen, P., Schwarz, Ulrich, Wegscheider, Werner, Clos, R., Krtschil, A., Krost, A., Engl, Karl, Weimar, A., Brüderl, G., Lell, Alfred und Härle, Volker (2006) Long range strain and electrical potential induced by single edge dislocations in GaN. Physica B Condensed Matter 376-37, S. 451-454. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

Engl, Karl, Beer, Martin, Gmeinwieser, Nikolaus, Schwarz, Ulrich, Zweck, Josef, Wegscheider, Werner, Miller, Stephan, Miler, A., Lugauer, H.-J., Brüderl, G., Lell, Alfred und Härle, Volker (2006) Influence of an in situ-deposited SiNx intermediate layer inside GaN and AlGaN layers on SiC substrates. Journal of Crystal Growth 289 (1), S. 6-13. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

Engl, Karl, Beer, Martin, Gmeinwieser, Nikolaus, Schwarz, Ulrich, Zweck, Josef, Wegscheider, Werner, Miller, S., Miler, A., Lugauer, H., Brüderl, G., Lell, A. und Härle, V. (2006) Influence of an in situ-deposited SiN_x intermediate layer inside GaN and AlGaN layers on SiC substrates. Journal of Crystal Growth 289 (1), S. 6-13. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

Gmeinwieser, Nikolaus, Gottfriedsen, P., Schwarz, Ulrich, Wegscheider, Werner, Clos, R., Krtschil, A., Krost, A., Weimar, Andreas, Brüderl, G., Lell, Alfred und Härle, Volker (2005) Local strain and potential distribution induced by single dislocations in GaN. Journal of Applied Physics 98 (11), S. 116102. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

Gmeinwieser, Nikolaus, Engl, Karl, Gottfriedsen, P., Schwarz, Ulrich, Zweck, Josef, Wegscheider, Werner, Miller, S., Lugauer, H.-J., Leber, A., Weimar, A., Lell, Alfred und Härle, Volker (2004) Correlation of strain, wing tilt, dislocation density, and photoluminescence in epitaxial lateral overgrown GaN on SiC substrates. Journal of Applied Physics 96 (7), S. 3666-3672. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

Gmeinwieser, Nikolaus, Engl, Karl, Schwarz, Ulrich, Zweck, Josef, Wegscheider, Werner, Miller, Stephan, Leber, Andreas, Weimar, Andreas, Lell, Alfred und Härle, Volker (2004) Strain, wing tilt and photoluminescence in epitaxial lateral overgrown GaN on SiC substrates. physica status solidi a 201 (12), S. 2760-2763. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

Kümmler, V., Brüderl, G., Bader, S., Miller, S., Weimar, A., Lell, A., Härle, V., Schwarz, Ulrich, Gmeinwieser, Nikolaus und Wegscheider, Werner (2002) Degradation Analysis of InGaN Laser Diodes. physica status solidi a 194 (2), S. 419-422. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

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