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Einträge von Held, R. auf dem Publikationsserver
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Anzahl der Einträge: 10.
2002
Lüscher, S., Fuhrer, A., Held, R., Heinzel, Thomas, Ensslin, Klaus, Bichler, Max und Wegscheider, Werner
(2002)
Quantum wires and quantum dots defined by lithography with an atomic force microscope.
Microelectronics Journal 33 (4), S. 319-321.
Zugang zum Volltext eingeschränkt.
Ihn, Thomas, Rychen, J., Cilento, T., Held, R., Ensslin, Klaus, Wegscheider, Werner und Bichler, Max
(2002)
Scanning gate measurements on a quantum wire.
Physica E Low-dimensional Systems and Nanostructures 12 (1-4), S. 691-694.
Zugang zum Volltext eingeschränkt.
2001
Senz, V., Heinzel, Thomas 
, Ihn, Thomas , Lindemann, S., Held, R., Ensslin, Klaus, Wegscheider, Werner und Bichler, Max
(2001)
Analysis of the temperature-dependent quantum point contact conductance in relation to the metal-insulator transition in two dimensions.
Journal of Physics: Condensed Matter 13 (17), S. 3831-3837.
Zugang zum Volltext eingeschränkt.
, Ihn, Thomas , Lindemann, S., Held, R., Ensslin, Klaus, Wegscheider, Werner und Bichler, Max
(2001)
Analysis of the temperature-dependent quantum point contact conductance in relation to the metal-insulator transition in two dimensions.
Journal of Physics: Condensed Matter 13 (17), S. 3831-3837.
Zugang zum Volltext eingeschränkt.
Heinzel, Thomas, Held, R., Lüscher, S., Ensslin, Klaus, Wegscheider, Werner und Bichler, Max
(2001)
Electronic properties of nanostructures defined in Ga[Al]As heterostructures by local oxidation.
Physica E Low-dimensional Systems and Nanostructures 9 (1), S. 84-93.
Zugang zum Volltext eingeschränkt.
2000
Heinzel, Thomas H., Salis, G., Held, R., Lüscher, S., Ensslin, Klaus, Wegscheider, Werner und Bichler, Max
(2000)
Shifting a quantum wire through a disordered crystal: Observation of conductance fluctuations in real space.
Physical Review B 61 (20), R13353-R13356.
Zugang zum Volltext eingeschränkt.
Lüscher, S., Fuhrer, A., Held, R., Heinzel, Thomas H., Ensslin, Klaus, Wegscheider, Werner und Bichler, Max
(2000)
In-plane Gate Single Electron Transistor Fabricated by AFM Lithography.
Journal of Low Temperature Physics 118 (5-6), S. 333-342.
Zugang zum Volltext eingeschränkt.
Heinzel, Thomas H., Held, R., Lüscher, S., Ensslin, Klaus und Wegscheider, Werner
(2000)
Semiconductor nanostructures with short depletion length and stacked gates, patterned with an atomic force microscope.
Physica E Low-dimensional Systems and Nanostructures 7 (3-4), S. 860-863.
Zugang zum Volltext eingeschränkt.
1999
Lüscher, S., Fuhrer, A., Held, R., Heinzel, Thomas, Ensslin, Klaus und Wegscheider, Werner
(1999)
In-plane gate single-electron transistor in Ga[Al]As fabricated by scanning probe lithography.
Applied Physics Letters 75 (16), S. 2452-2454.
Zugang zum Volltext eingeschränkt.
Held, R., Lüscher, S., Heinzel, Thomas, Ensslin, K. und Wegscheider, Werner
(1999)
Fabricating tunable semiconductor devices with an atomic force microscope.
Applied Physics Letters 75 (8), S. 1134-1136.
Zugang zum Volltext eingeschränkt.
1998
Held, R., Vancura, T., Heinzel, Thomas, Ensslin, Klaus, Holland, M. und Wegscheider, Werner
(1998)
In-plane gates and nanostructures fabricated by direct oxidation of semiconductor heterostructures with an atomic force microscope.
Applied Physics Letters 73 (2), S. 262-264.
Zugang zum Volltext eingeschränkt.
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