Einträge von Fabry, L. auf dem Publikationsserver

Hoelzl, R., Range, K.J. und Fabry, L. (2002) Comparison of different gettering techniques for Cu- p+ versus polysilicon and oxygen precipitates. Applied Physics A: Materials Science & Processing 75 (5), S. 591-595. Volltext nicht vorhanden.

Hölzl, R., Fabry, L., Range, K.-J. und Pech, R. (2002) MeV-boron implanted layer, oxygen precipitates and poly-silicon back side combined in one silicon wafer: at what defect will Cu and Ni be gettered? Applied Physics A: Materials Science & Processing 74 (4), S. 545-551. Volltext nicht vorhanden.

Hoelzl, R., Range, K.-J. und Fabry, L. (2002) Modeling of Cu gettering in p- and n-type silicon and in poly-silicon. Applied Physics A: Materials Science & Processing 75 (4), S. 525-534. Volltext nicht vorhanden.

Hölzl, R., Fabry, L. und Range, K.-J. (2002) Ni reactions with surfaces: dependence of gettering efficiencies for Ni on crystal-growth conditions, back-side-gettering techniques, oxygen precipitates and thermal treatments. Applied Physics A: Materials Science & Processing 74 (5), S. 711-718. Volltext nicht vorhanden.

Hölzl, R., Fabry, L. und Range, K.J. (2002) The linkage between macroscopic gettering mechanisms and electronic configuration of 3d-elements in p/p+ epitaxial silicon wafers. Applied Physics A 74 (1), S. 35-39. Volltext nicht vorhanden.

Hölzl, R., Fabry, L. und Range, K.J. (2001) Gettering efficiencies for Cu and Ni as a function of size and density of oxygen precipitates in p/p- silicon epitaxial wafers. Applied Physics A Materials Science & Processing 73 (2), S. 137-142. Volltext nicht vorhanden.

Hölzl, R., Huber, A., Fabry, L., Range, K.-J. und Blietz, M. (2001) Integrity of ultrathin gate oxides with different oxide thickness, substrate wafers and metallic contaminations. Applied Physics A Materials Science & Processing 72 (3), S. 351-356. Volltext nicht vorhanden.

Hoelzl, R., Huber, D., Range, K. -J., Fabry, L., Hage, J. und Wahlich, R. (2000) Gettering of Copper and Nickel in p/p+ Epitaxial Wafers. Journal of The Electrochemical Society 147 (7), S. 2704. Volltext nicht vorhanden.