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Einträge von Fabry, L. auf dem Publikationsserver
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Anzahl der Einträge: 8.
Hoelzl, R., Range, K.J. und Fabry, L.
(2002)
Comparison of different gettering techniques for Cu- p+ versus polysilicon and oxygen precipitates.
Applied Physics A: Materials Science & Processing 75 (5), S. 591-595.
Volltext nicht vorhanden.
Hölzl, R., Fabry, L., Range, K.-J. und Pech, R.
(2002)
MeV-boron implanted layer, oxygen precipitates and poly-silicon back side combined in one silicon wafer: at what defect will Cu and Ni be gettered?
Applied Physics A: Materials Science & Processing 74 (4), S. 545-551.
Volltext nicht vorhanden.
Hoelzl, R., Range, K.-J. und Fabry, L.
(2002)
Modeling of Cu gettering in p- and n-type silicon and in poly-silicon.
Applied Physics A: Materials Science & Processing 75 (4), S. 525-534.
Volltext nicht vorhanden.
Hölzl, R., Fabry, L. und Range, K.-J.
(2002)
Ni reactions with surfaces: dependence of gettering efficiencies for Ni on crystal-growth conditions, back-side-gettering techniques, oxygen precipitates and thermal treatments.
Applied Physics A: Materials Science & Processing 74 (5), S. 711-718.
Volltext nicht vorhanden.
Hölzl, R., Fabry, L. und Range, K.J.
(2002)
The linkage between macroscopic gettering mechanisms and electronic configuration of 3d-elements in p/p+ epitaxial silicon wafers.
Applied Physics A 74 (1), S. 35-39.
Volltext nicht vorhanden.
Hölzl, R., Fabry, L. und Range, K.J.
(2001)
Gettering efficiencies for Cu and Ni as a function of size and density of oxygen precipitates in p/p- silicon epitaxial wafers.
Applied Physics A Materials Science & Processing 73 (2), S. 137-142.
Volltext nicht vorhanden.
Hölzl, R., Huber, A., Fabry, L., Range, K.-J. und Blietz, M.
(2001)
Integrity of ultrathin gate oxides with different oxide thickness, substrate wafers and metallic contaminations.
Applied Physics A Materials Science & Processing 72 (3), S. 351-356.
Volltext nicht vorhanden.
Hoelzl, R., Huber, D., Range, K. -J., Fabry, L., Hage, J. und Wahlich, R.
(2000)
Gettering of Copper and Nickel in p/p+ Epitaxial Wafers.
Journal of The Electrochemical Society 147 (7), S. 2704.
Volltext nicht vorhanden.
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