Anzahl der Einträge: 24.
Braun, H.,
Solowan, H.-M.,
Scholz, D.,
Meyer, T.,
Schwarz, U. T. ,
Brüninghoff, S.,
Lell, A. und
Strauß, U.
(2008)
Lateral and longitudinal mode pattern of broad ridge 405nm (Al, In)GaN laser diodes.
Journal of Applied Physics 103 (7).
Volltext nicht vorhanden.
Witzigmann, B.,
Laino, V.,
Roemer, F.,
Lauterbach, C.,
Schwarz, Uli,
Rumbolz, C.,
Schillgalies, M.,
Lell, A. und
Härle, V.
(2007)
Analysis of substrate modes in GaN/InGaN Lasers.
SPIE proceedings 6468, 64680Q.
Volltext nicht vorhanden.
Braun, Harald,
Lauterbach, C.,
Schwarz, Uli,
Laino, V.,
Witzigmann, B.,
Rumbolz, C.,
Schillgalies, M.,
Lell, A. und
Härle, V.
(2007)
Experimental and Theoretical Study of Substrate Modes in (Al,In)GaN Laser Diodes.
phys. stat. sol. (c) 4, S. 2772.
Volltext nicht vorhanden.
Laino, V.,
Roemer, F.,
Witzigmann, B.,
Lauterbach, C.,
Schwarz, Uli,
Rumbolz, C.,
Schillgalies, M.,
Furitsch, M.,
Lell, A. und
Här, V.
(2007)
Experimental and theoretical study of substrate modes in (Al,In)GaN laser diodes.
IEEE J. Quantum Electronics 43, S. 16.
Volltext nicht vorhanden.
Laubsch, A.,
Sabathil, M.,
Bruederl, G.,
Wagner, J.,
Strassburg, M.,
Baur, E.,
Braun, Harald,
Schwarz, Uli,
Lell, A.,
Lutgen, S.,
Linder, N.,
Oberschmid, R. und
Hahn, B.
(2007)
Measurement of the internal quantum efficiency of InGaN quantum wells.
Proc. SPIE 6486, 64860J.
Volltext nicht vorhanden.
Engl, Karl,
Beer, Martin,
Gmeinwieser, Nikolaus,
Schwarz, Ulrich ,
Zweck, Josef,
Wegscheider, Werner,
Miller, S.,
Miler, A.,
Lugauer, H.,
Brüderl, G.,
Lell, A. und
Härle, V.
(2006)
Influence of an in situ-deposited SiN_x intermediate layer inside GaN and AlGaN layers on SiC substrates.
Journal of Crystal Growth 289 (1), S. 6-13.
Zugang zum Volltext eingeschränkt.
Witzigmann, B.,
Laino, V.,
Luisier, M.,
Schwarz, Uli ,
Feicht, Georg,
Wegscheider, Werner,
Engl, K.,
Furitsch, M.,
Leber, A.,
Lell, A. und
Härle, V.
(2006)
Microscopic analysis of optical gain in InGaN/GaN quantum wells.
Applied Physics Letters 88, 021104.
Zugang zum Volltext eingeschränkt.
Witzigmann, B.,
Laino, V.,
Luisier, M.,
Schwarz, Uli,
Fischer, H.,
Feicht, Georg,
Wegscheider, Werner,
Rumbolz, C.,
Lell, A. und
Härle, V.
(2006)
Analysis of temperature dependent optical gain in GaN/InGaN quantum well structures.
IEEE Phot. Tech. Lett. 18, S. 1600.
Volltext nicht vorhanden.
Witzigmann, B.,
Laino, V.,
Luisier, M.,
Schwarz, U.T. ,
Fischer, H.,
Feicht, G.,
Wegscheider, W.,
Rumbolz, C.,
Lell, A. und
Harle, V.
(2006)
Analysis of temperature-dependent optical gain in GaN-InGaN quantum-well structures.
IEEE Photonics Technology Letters 18 (15), S. 1600-1602.
Volltext nicht vorhanden.
Schwarz, Uli,
Lauterbach, C.,
Schillgalies, M.,
Rumbolz, C.,
Furitsch, M.,
Lell, A. und
Härle, V.
(2006)
Time-resolved scanning near-field microscopy of InGaN laser diode dynamics.
SPIE proceedings 6184, 61840K.
Volltext nicht vorhanden.
Schoedl, T.,
Schwarz, Uli,
Kümmler, V.,
Furitsch, M.,
Leber, A.,
Miler, A.,
Lell, A. und
Härle, V.
(2005)
Facet degradation of GaN heterostructure laser diodes.
Journal of Appli
ed Physics 97, S. 123102.
Volltext nicht vorhanden.
Schwarz, Uli,
Pindl, M.,
Sturm, Evi,
Furitsch, M.,
Leber, A.,
Miller, S.,
Lell, A. und
Härle, V.
(2005)
Influence of ridge geometry on lateral mode stability of (In/Al)GaN laser diodes.
phys. stat. sol. (a) 202, S. 261.
Volltext nicht vorhanden.
Schwarz, Uli,
Pindl, M.,
Wegscheider, Werner,
Eichler, C.,
Scholz, F.,
Furitsch, M.,
Leber, A.,
Miller, S.,
Lell, A. und
Härle, V.
(2005)
Near-field and far-field dynamics of (Al,In)GaN laser diodes.
Applied Physics Letters 86, S. 161112.
Volltext nicht vorhanden.
Gmeinwieser, N.,
Gottfriedsen, P.,
Schwarz, Uli,
Wegscheider, Werner,
Clos, R.,
Krtschil, A.,
Krost, A.,
Weimar, A.,
Brüderl, G.,
Lell, A. und
Härle, V.
(2005)
Single dislocation induced strain in GaN.
Journal of Appli
ed Physics 98, S. 116102.
Volltext nicht vorhanden.
Gmeinwieser, N.,
Engl, K.,
Gottfriedsen, P.,
Schwarz, Uli,
Zweck, Josef,
Wegscheider, Werner,
Miller, S.,
Lugauer, H.,
Leber, A.,
Lell, A. und
Härle, V.
(2004)
Correlation of strain, wing tilt, dislocation density, and photoluminescence in epitaxial lateral overgrown GaN on SiC substrate.
Journal of Appli
ed Physics 96, J. Appl. Phys..
Volltext nicht vorhanden.
Schwarz, Uli,
Sturm, Evi,
Wegscheider, Werner,
Kümmler, V.,
Lell, A. und
Härle, V.
(2004)
Excitonic signature in gain and carrier induced change of refractive index spectra of (In,Al)GaN quantum well lasers.
Applied Physics Letters 85, S. 1475.
Volltext nicht vorhanden.
Schoedl, T.,
Schwarz, Uli,
Miller, S.,
Leber, A.,
Furitsch, M.,
Lell, A. und
Härle, V.
(2004)
Facet degradation of (Al,In)GaN laser diodes.
phys. stat. sol. (a) 201, S. 2635.
Volltext nicht vorhanden.
Gmeinwieser, N.,
Engl, K.,
Schwarz, Uli,
Zweck, Josef,
Wegscheider, Werner,
Miller, S.,
Leber, A.,
Lell, A. und
Härle, V.
(2004)
Strain, wing tilt and Photoluminescence in ELOG GaN on SiC substrates.
phys. stat. sol. (a) 201, S. 2760.
Volltext nicht vorhanden.
Schwarz, Uli,
Sturm, Evi,
Wegscheider, Werner,
Kümmler, V.,
Lell, A. und
Härle, V.
(2003)
Gain spectra and current-induced change of refractice index in (In/Al)GaN diode lasers.
phys. stat. sol. (a) 200, S. 143.
Volltext nicht vorhanden.
Schwarz, Uli,
Sturm, Evi,
Wegscheider, Werner,
Kümmler, V.,
Lell, A. und
Härle, V.
(2003)
Optical gain, carrier-induced phase shift, and linewidth enhancement factor in InGaN quantum well lasers.
Applied Physics Letters 83, S. 4095.
Volltext nicht vorhanden.
Kümmler, V.,
Brüderl, G.,
Bader, S.,
Miller, S.,
Weimar, A.,
Lell, A.,
Härle, V.,
Schwarz, Ulrich,
Gmeinwieser, Nikolaus und
Wegscheider, Werner
(2002)
Degradation Analysis of InGaN Laser Diodes.
physica status solidi a 194 (2), S. 419-422.
Zugang zum Volltext eingeschränkt.
Kümmler, V.,
Brüderl, G.,
Bader, S.,
Miller, S.,
Weimar, A.,
Lell, A.,
Härle, V.,
Schwarz, Uli,
Gmeinwieser, N. und
Wegscheider, Werner
(2002)
Degradation Analysis of InGaN Laser Diodes.
phys. stat. sol. (a) 194, S. 419.
Volltext nicht vorhanden.
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